收藏本站
型号 SI4501ADY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 8-SOIC
SI4501ADY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4501ADY-T1-GE3
产品目录绘图 DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V，8V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.3A，4.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 8.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 5V
功率 - 最大 1.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 标准包装
其它名称 SI4501ADY-T1-GE3DKR
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI4501ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 8-SOIC
SI4501ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 8-SOIC
SI4505DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 8-SOIC
SI4505DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 8-SOIC
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4511DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4532DY Fairchild Semiconductor MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
SI4532DY Fairchild Semiconductor MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
SI4532DY Fairchild Semiconductor MOSFET N/P-CH DUAL 30V SO-8
SI4539ADY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SI4539ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC